St: amplia accordo con giapponese Rohm su forniture wafer in carburo di silicio
(Il Sole 24 Ore Radiocor) - Milano, 22 apr - StMicroelectronics e Rohm, gruppo giapponese dei semiconduttori, hanno ampliato l'accordo a lungo termine gia' esistente per la fornitura di substrati per wafer di carburo di silicio (SiC) da 150 mm con SiCrystal, una societa' del gruppo Rohm. Il nuovo accordo pluriennale riguarda la fornitura di maggiori volumi di substrati per wafer di SiC prodotti a Norimberga, in Germania, per un valore minimo previsto di 230 milioni di dollari. "Questo accordo ampliato con SiCrystal supportera' la nostra capacita' di produzione di dispositivi per clienti del settore automobilistico e industriale in tutto il mondo. Contribuisce a rafforzare la resilienza della nostra catena di approvvigionamento per la crescita futura, con un mix equilibrato di forniture interne e commerciali in tutte le regioni", ha detto Geoff West, Evp e chief procurement officer di St. I semiconduttori di potenza SiC ad alta efficienza energetica consentono l'elettrificazione dei settori automobilistico e industriale in modo piu' sostenibile. Facilitando la generazione, la distribuzione e l'immagazzinamento dell'energia in modo piu' efficiente, il SiC favorisce la transizione verso soluzioni di mobilita' piu' pulite, processi industriali a basse emissioni e un futuro energetico piu' verde, nonche' alimentazioni piu' affidabili per infrastrutture ad alta intensita' di risorse come i centri dati dedicati alle applicazioni di intelligenza artificiale.
Ars
(RADIOCOR) 22-04-24 16:45:07 (0519) 5 NNNN